一種p型單晶硅片的表面處理方法,用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和
功能材料等領(lǐng)域。本發(fā)明包括p型單晶硅片的前處理、
電化學(xué)陽(yáng)極氧化法制備p型多孔單晶硅片,然后對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理,得到具有發(fā)光強(qiáng)度高且在空氣中長(zhǎng)期存放發(fā)光不衰減,峰位不藍(lán)移的p型多孔單晶硅片。
聲明:
“p型單晶硅片的表面處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)