本發(fā)明提供了一種CuI晶體的生長(zhǎng)方法,屬于光電
功能材料技術(shù)中的晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。該方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等為助溶劑,銅片作為還原劑,生長(zhǎng)溫區(qū)70-40℃,采用水溶液溫差法生長(zhǎng)晶體。本發(fā)明采用的溫差法生長(zhǎng)技術(shù)具有生長(zhǎng)設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低廉、生長(zhǎng)溫度低以及晶體生長(zhǎng)不受溶解度限制等優(yōu)點(diǎn),所生長(zhǎng)的CuI晶體純度高、均勻性好、尺寸較大,因此作為新一代的超快閃爍晶體,有望在未來超高計(jì)數(shù)率電子、γ射線和X射線測(cè)量中發(fā)揮重要作用,同時(shí)還作為一種
半導(dǎo)體材料用作太陽能
電池材料、超導(dǎo)材料和光催化材料。
聲明:
“高質(zhì)量CuI晶體的生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)