本發(fā)明屬于納米磁性
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種磁性納米反點(diǎn)陣列薄膜及其制備方法。反點(diǎn)陣列呈高度有序的六方形緊密排列結(jié)構(gòu),反點(diǎn)呈規(guī)則的正六邊形或圓形。其制備方法為:用聚苯乙烯微球組裝單層膠體晶體模板,在Ar氣氛圍下通過(guò)磁控濺射向模板縫隙間沉積金屬,通過(guò)調(diào)制濺射功率輕易控制反點(diǎn)陣列的形貌,得到所述磁性納米反點(diǎn)陣列薄膜。本發(fā)明的磁性納米反點(diǎn)陣列薄膜可以兼顧高有序度、高矯頑力和反點(diǎn)形貌可調(diào)等基本要素。本發(fā)明的制備方法工藝簡(jiǎn)單、易于操作。本發(fā)明所得到的孔徑100~500nm的磁性納米反點(diǎn)陣列薄膜可以廣泛用于高密度磁存儲(chǔ)介質(zhì)、高效催化劑及傳感器等領(lǐng)域。
聲明:
“磁性納米反點(diǎn)陣列薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)