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基于AgInSbTe硫系化合物的憶阻器及其制備方法

866 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:02:31

本發(fā)明公開了一種基于AgInSbTe硫系化合物的憶阻器，該憶阻器包括上電極層、下電極層以及位于上下電極層之間的功能材料層，其中所述功能材料層由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式結構的硫系合金化合物制成。本發(fā)明還公開了相應的制備方法。通過本發(fā)明，能夠以低成本、便于操控的方式來制備憶阻器元件，而且所制得的產(chǎn)品可提供非易失性的中間阻態(tài)，并能實現(xiàn)對電阻的多級連續(xù)可調。

聲明：

“基于AgInSbTe硫系化合物的憶阻器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)