本發(fā)明公開了一種具備多阻態(tài)特性的二階憶阻器,該憶阻器的器件單元包括上電極、下電極以及位于上下電極之間的
功能材料層,其中所述功能材料層由分子式結(jié)構(gòu)為Ge2Sb2Te5、Sb2Te3或GeTe的硫系化合物制成,所述上、下電極中的至少一個(gè)由Ag或Cu制成。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的調(diào)制方法。通過本發(fā)明,能夠獲得具有多個(gè)內(nèi)部狀態(tài)變量以產(chǎn)生多重憶阻效應(yīng)的二階憶阻器,同時(shí)具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、尺寸可至納米級(jí)和易于制備等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“具備多阻態(tài)特性的二階憶阻器及其調(diào)制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)