本發(fā)明揭示了一種制備納米晶電阻轉(zhuǎn)換材料和單元的方法,包括如下步驟:首先沉積超薄的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)材料薄膜,隨后通過(guò)退火在基底上形成均勻的納米晶,再者通過(guò)
功能材料的沉積形成對(duì)納米晶的包覆;重復(fù)上述三步,形成具有功能材料包覆的均勻的納米晶電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)材料和單元。本發(fā)明提出的制備納米晶電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)材料的工藝方法,可用于納米晶電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器,解決無(wú)法制備均勻納米晶存儲(chǔ)材料的難題。本發(fā)明能夠大幅度提升存儲(chǔ)器的性能,提升器件的可靠性。
聲明:
“制備納米晶電阻轉(zhuǎn)換材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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