本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器的形成方法,該方法包括:提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有下電極;在所述半導(dǎo)體襯底上淀積氧化物,形成位于所述半導(dǎo)體襯底上的氧阻擋層;在所述氧阻擋層上淀積金屬材料,形成位于所述氧阻擋層上的前軀體;對(duì)所述前軀體表面進(jìn)行移除處理,使得所述前軀體表面的自然氧化層被移除;對(duì)前軀體進(jìn)行氧化處理,使得前軀體轉(zhuǎn)換為
功能材料層;對(duì)功能材料層進(jìn)行退火處理;在所述功能材料層上形成上電極;圖形化上電極、功能材料層和氧阻擋層,形成存儲(chǔ)器,該方法因?qū)η败|體進(jìn)行氧化處理時(shí)使用的氧化性氣體被隔離在氧阻擋層之上,可以避免下電極被氧化,提高工藝的控制性,有利于提升存儲(chǔ)器特性。
聲明:
“存儲(chǔ)器的形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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