本發(fā)明公開了一種頻率可調(diào)的太赫茲波超材料調(diào)制器,包括周期排列的單元器件,每一個單元器件包括襯底、位于襯底上的
功能材料層以及位于功能材料層上的金屬諧振單元;當(dāng)功能材料層從絕緣相變成金屬相,功能材料層的電導(dǎo)率呈指數(shù)倍增加使得金屬諧振單元的中間開口電容的面積增加,金屬諧振單元的諧振頻率隨著電容的增大而變小實現(xiàn)了對單元器件的頻率調(diào)諧。本發(fā)明采用在太赫茲波段低傳輸損耗襯底上制作周期排列的金屬開口諧振單元、利用金屬絕緣相變材料相變前后的電導(dǎo)率變化改變諧振單元開口電容的面積,實現(xiàn)了諧振頻率可以調(diào)諧的太赫茲波超材料調(diào)制器,達(dá)到了在太赫茲波段對某一頻率處的電磁傳輸特性進(jìn)行主動性控制,獲得大的開關(guān)比或高調(diào)制深度。
聲明:
“頻率可調(diào)的太赫茲波超材料調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)