本發(fā)明公開了一種基于量子點(diǎn)
電化學(xué)發(fā)光的吸附痕量2-甲基-4-氯苯氧乙酸(MCPA)分子印跡電化學(xué)發(fā)光傳感材料的制備方法及應(yīng)用。這種傳感材料的制備方法:制備2-巰基乙烷磺酸鈉和對(duì)巰基苯硫酚功能化修飾的金納米顆粒和CdSe/ZnS量子點(diǎn)的
功能材料,將MCPA和所制備的功能材料混合,利用電化學(xué)聚合成膜將材料修飾于金電極表面,洗脫MCPA后制備出雙苯胺交聯(lián)的納米金和量子點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)陣列分子印跡電化學(xué)發(fā)光材料修飾的電極。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)是采用電聚合的方法一步合成量子點(diǎn)分子印跡電化學(xué)發(fā)光傳感材料。該傳感材料將量子點(diǎn)的電化學(xué)發(fā)光與分子印跡聚合物的特異性識(shí)別結(jié)合起來,克服了現(xiàn)有方法制備固態(tài)發(fā)光電極時(shí)存在的缺點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“分子印跡電化學(xué)發(fā)光傳感材料的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)