本發(fā)明屬于集成光學(xué)領(lǐng)域,具體涉及一種基于高遷移率TCO薄膜的低損耗光波導(dǎo)移相器。該器件基于光波導(dǎo)平臺(tái)制備,從下至上依次為基底、脊型硅波導(dǎo)、二氧化鉿層、電光
功能材料層和二氧化鉿包層以及設(shè)置于電光功能材料層表面和硅表面的電極。電光功能材料層為遷移率大于200cm
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?1的TCO薄膜。本發(fā)明的器件基于光波導(dǎo)平臺(tái),將用于光開關(guān)調(diào)制器遷移率大于200cm
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?1的TCO薄膜作為電光功能材料層,實(shí)現(xiàn)了電光移相的硅波導(dǎo)移相器與硅制備工藝兼容,調(diào)制速率可達(dá)100GHz以上,插入損耗3dB以下。
聲明:
“基于高遷移率TCO薄膜的低損耗光波導(dǎo)移相器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)