本發(fā)明公開了一種形成復(fù)合
功能材料結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括:步驟A,高能量離子注入于施主晶片表層,在離子注入投影射程位置形成脆弱區(qū),其中,離子注入的能量介于60KeV至500KeV之間;步驟B,將施主晶片和襯底晶片進(jìn)行鍵合,形成包括施主晶片和襯底晶片的復(fù)合結(jié)構(gòu);步驟C,對鍵合后形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理,使得施主晶片在脆弱區(qū)發(fā)生剝離,從而在襯底晶片表面附著施主晶片薄層結(jié)構(gòu),形成復(fù)合功能材料結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用高能量的離子注入,控制投影射程在距離表面更遠(yuǎn)的位置,利用晶片表層的剝落,即使在存在少數(shù)鍵合缺陷的情況下,也能夠得到更好的轉(zhuǎn)移薄層,從而提高剝離的效率和轉(zhuǎn)移層的質(zhì)量、性能。
聲明:
“形成復(fù)合功能材料結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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