本發(fā)明涉及半導體技術領域,具體涉及一種形成復合
功能材料結構的方法。所述方法,包括如下步驟:注入原子種類作用于施主晶片,在離子注入投影射程周圍形成脆弱區(qū);將施主晶片和襯底晶片進行鍵合;對鍵合后的結構在低真空下進行兩步退火熱處理,使得脆弱區(qū)從施主晶片剝離,在襯底晶片上形成薄層結構;對于剝離后的施主晶片和含有薄層結構的襯底晶片進行處理,得到所要求厚度的施主材料和所需要的復合功能材料結構。本發(fā)明將退火過程放在低真空中進行,能夠降低在外部對晶圓的壓力,從而減少了晶圓內部微小缺陷生長、成熟的阻力;而且還降低熱預算,有利于形成高質量的復合功能材料結構,提高了注入離子的剝離效率。
聲明:
“形成復合功能材料結構的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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