本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,具體而言,涉及生產(chǎn)熱電轉(zhuǎn)換材料的方法,包括如下步驟:(A)將質(zhì)量分?jǐn)?shù)55%-60%的鉍、20%-30%的硒和10%-20%的碲混合,組成原料;(B)對(duì)原料進(jìn)行真空熔煉處理,得到半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換材料BiSeTe金屬化合物。本發(fā)明是利用真空熔煉的方法,通過(guò)在傳統(tǒng)的硒化鉍材料中,均勻地?fù)诫s了第VI族元素銻在硒化鉍的金屬合金里面,形成一種BiSeTe金屬化合物,改變了材料的能帶間隙,從而提高半導(dǎo)體合金里面的電載體自由“電子”的濃度,極大地提高了材料本身的熱-電性能,即所謂的ZT參數(shù),摻雜的元素不會(huì)產(chǎn)生偏析,或者晶體缺陷。
聲明:
“生產(chǎn)熱電轉(zhuǎn)換材料的方法、裝置及生產(chǎn)濺射靶材的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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