本發(fā)明提供了一種太陽能級硅的制備方法,該方法采用金屬硅或金屬硅粉為原材料,通過化學(xué)除雜與物理冶煉除雜相結(jié)合的方法,將硅中的各雜質(zhì)元素含量降到1PPM以下,特別是磷≤0.5PPM,B≤0.3PPM,電阻率≥2ΩCM,從而制得低成本的高純硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用化學(xué)處理和物理處理相結(jié)合,能更有效地降低硅里面的雜質(zhì)元素;能耗較低,設(shè)備投資少,建設(shè)周期短,過程的環(huán)保容易克服,相同規(guī)模的投資比較少;與純物理熔煉方法比較,更容易降低B、P的含量,所得產(chǎn)品純度高。
聲明:
“太陽能級硅的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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