電催化劑的活化方法、所得的MoS₂活化電催化劑及應(yīng)用 1111     

 0

本發(fā)明提供一種電催化劑的活化方法、所得的MoS₂活化電催化劑及應(yīng)用，該電催化劑的活化方法，包括以下步驟：1)將碳布放入由鉬酸鈉、硫脲、去離子水組成的混合溶液中，經(jīng)過(guò)水熱法處理，得到生長(zhǎng)在碳布上的二硫化鉬前驅(qū)體；2)將二硫化鉬前驅(qū)體進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極處理后，得到MoS₂活化電催化劑。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于實(shí)施，且不破壞層狀材料原有的結(jié)構(gòu)性質(zhì)，所得的MoS₂活化電催化劑物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有良好的電催化性能。采用本發(fā)明提供的優(yōu)化方法處理后得到的層狀二硫化鉬在酸性條件下有著優(yōu)異的電催化性能，且循環(huán)50次后電催化性能不下降，有著比前體材料更優(yōu)異的電催化性能。

基于二維硒化亞鍺的偏振相位調(diào)制器件及其設(shè)計(jì)方法 1050     

 0

本發(fā)明屬于新型偏振光學(xué)器件領(lǐng)域，更具體地，涉及一種基于二維硒化亞鍺的偏振相位調(diào)制器件及其設(shè)計(jì)方法。其設(shè)計(jì)方法包括以下步驟：本發(fā)明首先制作若干不同厚度的二維GeSe并將其附著于襯底上，獲取這些二維GeSe的平面內(nèi)光學(xué)常數(shù)，結(jié)合相位延遲量計(jì)算公式，計(jì)算得到不同厚度對(duì)應(yīng)的相位延遲量，根據(jù)目標(biāo)偏振相位調(diào)制器件對(duì)相位延遲量要求，確定該目標(biāo)偏振相位調(diào)制器件中二維GeSe的厚度，最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量和計(jì)算擬合的比較來(lái)檢驗(yàn)制作得到的偏振相位調(diào)制器件是否符合要求。本方法只需簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)便能實(shí)現(xiàn)偏振相位調(diào)制器件的厚度納米化，非常具有應(yīng)用前景。

有機(jī)化合物及其應(yīng)用、有機(jī)電致發(fā)光器件 695     

 0

本發(fā)明涉及一種有機(jī)化合物及其應(yīng)用以及包含其的有機(jī)電致發(fā)光器件，所述化合物具有下式所示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明化合物以苯并二噻唑結(jié)構(gòu)為母核，該母核結(jié)構(gòu)具有較強(qiáng)的吸電子能力，同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性，該類(lèi)材料具有較高的電子傳輸性能，較好的薄膜穩(wěn)定性和適合的分子能級(jí)，可以被應(yīng)用在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，作為電子傳輸材料使用。

鈀單原子修飾的氧化錫復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用 1098     

 0

本發(fā)明屬于氣敏傳感材料領(lǐng)域，具體涉及一種鈀單原子修飾的氧化錫復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，方法包括將氧化錫顆粒在水中充分分散均勻，并向分散液中加入四氨合硝酸鈀，充分?jǐn)嚢柚筮M(jìn)行固液分離和洗滌，得到鈀前驅(qū)體離子修飾的氧化錫復(fù)合結(jié)構(gòu)；對(duì)鈀前驅(qū)體離子修飾的氧化錫復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行快速升溫和高溫煅燒，得到鈀單原子修飾的氧化錫復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中，升溫的速度保證氧化錫顆?？焖馘^定住鈀前驅(qū)體離子避免在氧化錫顆粒表面聚集。本發(fā)明制備的氧化錫復(fù)合材料具有良好的氣敏特性，可作為電阻型半導(dǎo)體氣體傳感器的傳感層，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠有效解決儀器昂貴、操作復(fù)雜、無(wú)法現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)檢測(cè)的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)對(duì)氫氣的超靈敏、快響應(yīng)、低成本檢測(cè)。

智能自動(dòng)隔絕環(huán)境中有害氣體的壓縮氧氣自救器 843     

 0

本發(fā)明涉及一種智能自動(dòng)隔絕環(huán)境中有害氣體的壓縮氧氣自救器，由氣體監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、智能判斷+數(shù)據(jù)傳輸+無(wú)線充電系統(tǒng)、氧氣+隔絕式循環(huán)呼吸系統(tǒng)構(gòu)成。氣體監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的一氧化碳、氧氣傳感器檢測(cè)環(huán)境的有害氣體含量，并送至智能判斷+數(shù)據(jù)傳輸+無(wú)線充電系統(tǒng)的中心處理器CPU，中心處理器CPU根據(jù)含量的高低變化做出判斷和報(bào)告及報(bào)警，經(jīng)智能判斷是否需要開(kāi)啟氧氣+隔絕式循環(huán)呼吸系統(tǒng)，使佩戴者在有保護(hù)的情況下進(jìn)行搶險(xiǎn)救援或撤離。本發(fā)明體積小、重量輕、便于攜帶，可在有毒有害氣體泄漏可能的或長(zhǎng)期無(wú)人進(jìn)入的不明真實(shí)情況的密閉空間等場(chǎng)合保障工作人員和搶險(xiǎn)人員供氧自救。本發(fā)明可長(zhǎng)期處于工作狀態(tài)下放置在煤礦井下等場(chǎng)所。

正式鈣鈦礦/量子點(diǎn)兩端疊層太陽(yáng)能電池及制備方法 714     

 0

本發(fā)明屬太陽(yáng)能光伏制備領(lǐng)域，具體涉及正式鈣鈦礦/量子點(diǎn)兩端疊層太陽(yáng)能電池及制備方法，該電池結(jié)構(gòu)依次分別為導(dǎo)電玻璃、第一電子抽取層、鈣鈦礦吸光層、第一空穴抽取層、致密隧穿層、量子點(diǎn)吸光層、第二空穴抽取層和對(duì)電極；其中，隧穿層可保護(hù)鈣鈦礦和高效復(fù)合的同時(shí)具備傳輸電子的功能，簡(jiǎn)化工藝的同時(shí)提升效率；并提出通過(guò)溶劑正交轉(zhuǎn)變，新引入無(wú)機(jī)PbS量子點(diǎn)作為疊層的空穴傳輸層，解決了空穴層溶劑與鈣鈦礦子電池不兼容的問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)隧穿層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)替代了原有的隧穿層加電子傳輸層結(jié)構(gòu)；并通過(guò)溶劑轉(zhuǎn)變解決鈣鈦礦/量子點(diǎn)兩端疊層體系缺乏第二空穴傳輸層的難題。大大提高疊層電池的效率和穩(wěn)定性，具備實(shí)現(xiàn)1+1>1的潛力。

快堆型耦合核反應(yīng)的實(shí)施方法及其核反應(yīng)堆 673     

 0

本發(fā)明涉及一種快堆型耦合核反應(yīng)的實(shí)施方法及其核反應(yīng)堆。主要內(nèi)容包括：快堆型耦合核反應(yīng)實(shí)施方法；反應(yīng)堆模塊化設(shè)計(jì)方法；快堆型耦合核反應(yīng)堆；堆芯；燃料元件；核控系統(tǒng)；增殖燃料系統(tǒng)?？於研婉詈虾朔磻?yīng)堆主要燃燒釷和核廢料，具固有安全性。反應(yīng)堆主容器由相互完全隔離但彼此耦合的裂變池與慢化池組成，主冷卻劑與慢化劑分離，裂變池與慢化池間設(shè)置隔熱層，兩者可進(jìn)行中子交換但熱交換被阻隔；裂變池產(chǎn)生的快中子和慢化池反射回來(lái)的慢化中子可使堆芯同時(shí)進(jìn)行兩類(lèi)中子的耦合核反應(yīng)；慢化池可設(shè)置核控系統(tǒng)并實(shí)施堆芯外耦合核控；慢化池設(shè)置釷增殖燃料系統(tǒng)，可在線提取增殖燃料，核素分離安全簡(jiǎn)單，為“釷堆”技術(shù)瓶頸提供了一種解決方案。

含異硫茚的二酰亞胺衍生物及其制備方法 1125     

 0

本發(fā)明涉及一種含異硫茚的二酰亞胺衍生物及其制備方法，所述含異硫茚的二酰亞胺衍生物結(jié)構(gòu)式如下：其中，R和R’分別獨(dú)立選自烷基，烷氧基，烷基或烷氧基取代的芳基，所述烷基或烷氧基中的烷基選自碳原子數(shù)為1?30的直鏈或支鏈烷基中的一種，n為1?5之間的整數(shù)。本發(fā)明提供的含異硫茚的二酰亞胺衍生物具有良好的溶解性和較高的電子親和性，在有機(jī)半導(dǎo)體，有機(jī)磁體等領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。

兼容高溫處理的雙面柔性電子器件及其集成制備方法 983     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種兼容高溫處理的雙面柔性電子器件及其集成制備方法屬于柔性電子與傳感器領(lǐng)域。該方法包括犧牲層的制備、底層傳感器的制備、柔性基底層的制備、頂層傳感器的制備以及雙面柔性電子器件的剝離。通過(guò)在透明硬質(zhì)基底上制備好犧牲層以及器件的電極和功能層，再在其上制備柔性基底層；之后，該柔性基底作為新的襯底，再在柔性基底層之上通過(guò)光刻或者印刷的技術(shù)手段，制備其他功能的傳感器，由此在柔性基底的兩面都制備出了傳感器。最后從透明硬質(zhì)基底的背面，用脈沖激光燒蝕掉犧牲層，直接獲得集成有多種傳感器的雙面柔性多功能電子器件。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有技術(shù)不利于大面積制備、可靠性差以及功能度和集成度低的技術(shù)問(wèn)題。

適用于零件與模具的復(fù)合增材制造方法 693     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于零件與模具的復(fù)合增材制造方法，屬于零件與模具的無(wú)模生長(zhǎng)制造領(lǐng)域，其包括：S1根據(jù)待成形工件的形狀、厚度以及尺寸精度的要求，將待成形工件的三維CAD模型進(jìn)行分層切片處理，獲得多個(gè)分層切片的數(shù)據(jù)，S2根據(jù)所述分層切片的數(shù)據(jù)進(jìn)行成形路徑規(guī)劃，生成成形加工所需的各個(gè)分層切片數(shù)控代碼，S3根據(jù)步驟S2獲得的各個(gè)分層切片的數(shù)控代碼，在基板上將粉末材料逐層堆積成形并進(jìn)行壓力加工或者銑削加工，所述逐層堆積成形采用數(shù)控的高速冷噴涂槍將粉末材料噴涂至設(shè)定位置而堆積成形。本發(fā)明方法克服了熱加工的熱致不良影響以及冷噴涂堆積成形的缺陷。

含有1,10菲啰啉單元的熱激活延遲熒光材料及其應(yīng)用 793     

 0

本發(fā)明提供一種熱致延遲熒光材料以及基于此材料的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明以剛性的1, 10菲啰啉作為強(qiáng)拉電子中心核，具有強(qiáng)給電子能力的二苯胺類(lèi)衍生物作為外圍連接基團(tuán)，形成D?A?D型強(qiáng)電荷轉(zhuǎn)移態(tài)化合物，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8為具有芳香性二苯胺衍生物的一種。本發(fā)明的熱激活延遲熒光材料制備簡(jiǎn)單適于廣泛應(yīng)用。按照本發(fā)明的有機(jī)化合物可作為OLED中的發(fā)光層材料，摻入合適的主體材料可提高其電致發(fā)光器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。

零件與模具的熔積成形復(fù)合制造方法及其輔助裝置 855     

 0

零件與模具的熔積成形復(fù)合制造方法及其輔助裝置,屬于零件與模具的無(wú)模生長(zhǎng)制造與再制造方法,解決現(xiàn)有方法中,熔融材料流淌、坍塌,以及成形件易開(kāi)裂、變形和殘余應(yīng)力大、組織性能不穩(wěn)定的問(wèn)題。本發(fā)明的方法包括模型分層、生成數(shù)控代碼和熔積成形步驟,在與熔融軟化的區(qū)域相接觸處,安裝微型軋輥或微型擠壓裝置;在進(jìn)行熔積成形步驟的同時(shí),微型軋輥或微型擠壓裝置隨著熔積區(qū)域同步移動(dòng),對(duì)熔積區(qū)域作壓縮成形與加工。本發(fā)明的微型軋輥,包括左、右側(cè)立輥和水平輥。本發(fā)明防止熔融材料下落、流淌、坍塌,避免成形件開(kāi)裂、減輕或消除殘余應(yīng)力、改善組織性能,保證零件成形穩(wěn)定性,還可有效減少成形體表面的階梯效應(yīng),提高成形精度和表面質(zhì)量。

具有導(dǎo)熱絕緣和電磁屏蔽性能的有機(jī)硅復(fù)合材料 1125     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有導(dǎo)熱絕緣和電磁屏蔽性能的有機(jī)硅復(fù)合材料，所述材料由導(dǎo)熱絕緣填料、多功能填料和有機(jī)硅基體組成；其中多功能填料是通過(guò)在磁性粒子表面包覆無(wú)定型碳和石墨化碳中的任意一種或兩種殼層材料構(gòu)成。本發(fā)明通過(guò)導(dǎo)熱絕緣填料、多功能填料和有機(jī)硅基體復(fù)合，獲得兼具導(dǎo)熱絕緣和電磁屏蔽性能的多功能復(fù)合材料。該復(fù)合材料用于封裝材料時(shí)，可提高電子設(shè)備的散熱能力和抗電磁干擾能力，有望應(yīng)用于電力電子、軍工、船舶、航空、汽車(chē)等領(lǐng)域。

三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制備方法 737     

 0

本發(fā)明提供一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制備方法，制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；于半導(dǎo)體襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)，于疊層結(jié)構(gòu)中形成溝道孔及柵極隔槽，于半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極區(qū)域；于柵極隔槽的內(nèi)壁上形成外層及內(nèi)芯。本發(fā)明將所述柵極隔槽填充為至少包括外層和內(nèi)芯的結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)內(nèi)芯的填充實(shí)現(xiàn)器件整體應(yīng)力、電阻、漏電等情況的改善，在柵極隔槽中制備柵極隔槽腔，緩解器件結(jié)構(gòu)的應(yīng)力，可以減小器件電阻；將三維存儲(chǔ)器的柵極隔槽制備成包括至少兩個(gè)子?xùn)艠O隔槽上下連通設(shè)置的結(jié)構(gòu)，單個(gè)子?xùn)艠O隔槽的制備易于控制，可以減小其關(guān)鍵尺寸，增加溝道孔與柵極隔槽之間的距離，可以增加后續(xù)柵極層的長(zhǎng)度，減小柵極層的電阻，提高器件速度，優(yōu)化器件性能。

熒光化合物、混合物和發(fā)光器件 726     

 0

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種熒光化合物、混合物和發(fā)光器件。本申請(qǐng)的熒光化合物為硼氮類(lèi)窄發(fā)光純有機(jī)熱活化延遲熒光類(lèi)材料，并且其分子兼具手性發(fā)光與優(yōu)勢(shì)偶極矩取向的雙重特性，可以有效減少發(fā)光器件內(nèi)的表面等離子激元模式，進(jìn)而提升器件效率。

檢測(cè)垃圾含水率的裝置和檢測(cè)方法 964     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種檢測(cè)垃圾含水率的裝置，包括濕度傳感器、包裹層、填充物和外殼，所述濕度傳感器的中部以下插入填充物中，所述填充物放置在包裹層內(nèi)，包裹層外為外殼，所述外殼的底面和下部側(cè)壁設(shè)有均勻分布的通孔段，通孔段的開(kāi)孔度為50?80％，濕度傳感器全部或部分處于外殼中。該裝置簡(jiǎn)潔高效，運(yùn)行穩(wěn)定，便于濕度傳感器的檢修和更換。

全無(wú)機(jī)量子點(diǎn)基阻變存儲(chǔ)器及其制備方法 1037     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種全無(wú)機(jī)量子點(diǎn)基阻變存儲(chǔ)器及制備方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，包括自下而上依次設(shè)置的基板、底電極、阻變層和頂電極，其中，所述底電極與阻變層之間還設(shè)置有緩沖層。本發(fā)明通過(guò)增加鐵電材料緩沖層，使阻變存儲(chǔ)器的工作電壓降低至0.3V以下，存儲(chǔ)窗口提高到10⁷量級(jí)以上；器件在持續(xù)工作1.4×10⁶s后阻變性能退化小于0.01％，并且在10⁴次快速讀取測(cè)試中顯示出良好的耐久性。所述設(shè)計(jì)大大提升了量子點(diǎn)阻變存儲(chǔ)器的阻變性能，加速了量子點(diǎn)基阻變存儲(chǔ)器的商業(yè)化進(jìn)程。

光電器件中介觀層的仿真模型建立方法及其應(yīng)用 806     

 0

本發(fā)明屬于光電器件數(shù)值建模領(lǐng)域，具體涉及一種光電器件中介觀層的仿真模型建立方法及其應(yīng)用，包括：將待仿真介觀層等效為一個(gè)由長(zhǎng)邊接觸的第一長(zhǎng)方形和第二長(zhǎng)方形層疊構(gòu)成的矩形；第一長(zhǎng)方形表示介觀層中光吸收材料，第二長(zhǎng)方形表示介觀層中介觀支架，矩形長(zhǎng)邊即為兩個(gè)長(zhǎng)方形長(zhǎng)邊，將矩形長(zhǎng)邊長(zhǎng)度定義為介觀層膜層厚度d，為固定值，并表征光吸收材料和介觀支架間的接觸面積；第一長(zhǎng)方形短邊x₁等效光吸收材料的光照區(qū)域；第二長(zhǎng)方形短邊為x₂；通過(guò)確定接觸面積和光照面積比值計(jì)算x₁，并通過(guò)確定光吸收材料和介觀支架材料的體積計(jì)算x₂，完成仿真模型建立。本發(fā)明能夠在各種仿真軟件上有效減少介觀結(jié)構(gòu)模擬計(jì)算量，并且定量地模擬介觀材料的幾何細(xì)節(jié)特征。

彈性皮芯纖維及其制備方法 837     

 0

本發(fā)明提供了一種彈性皮芯纖維及其制備方法。該制備方法通過(guò)對(duì)預(yù)拉伸狀態(tài)的長(zhǎng)絲進(jìn)行皮層包裹，釋放應(yīng)力后，能夠形成特殊的三維螺旋結(jié)構(gòu)，顯著提高了纖維的可拉伸性能。尤其是采用橫截面為非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)絲和具有彈性的成膜物質(zhì)進(jìn)行包裹，能夠在皮層表面形成粗糙的褶皺和多孔結(jié)構(gòu)，提高表面形貌的粗糙度。進(jìn)一步在其表面制備導(dǎo)電等功能層，功能層的附著牢度較高，纖維的拉伸導(dǎo)電性也顯著提高，可很好地用于可穿戴電子設(shè)備。

體聲波諧振結(jié)構(gòu)及其制備方法、聲波器件 1136     

 0

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種體聲波諧振結(jié)構(gòu)，包括：襯底；依次位于所述襯底上的反射結(jié)構(gòu)、第一電極、壓電層和第二電極；其中，所述第一電極在所述襯底的正投影與所述反射結(jié)構(gòu)在所述襯底的正投影的重疊區(qū)域?yàn)榈谝恢丿B區(qū)；第一凸起結(jié)構(gòu)，位于所述壓電層或所述第二電極相對(duì)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；其中，所述第一凸起結(jié)構(gòu)在所述襯底的正投影與所述第一重疊區(qū)至少部分重疊；第二凸起結(jié)構(gòu)，至少部分位于所述第二電極相對(duì)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；其中，所述第二凸起結(jié)構(gòu)在所述襯底的正投影與所述第一凸起結(jié)構(gòu)在所述襯底的正投影至少部分重疊；修頻層，覆蓋所述第二電極、所述壓電層、所述第一凸起結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)相對(duì)遠(yuǎn)離所述襯底的表面。

具有保護(hù)功能的柔性電子鎧甲及其制造方法與應(yīng)用 1110     

 0

本發(fā)明屬于柔性傳感相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種具有保護(hù)功能的柔性電子鎧甲及其制造方法與應(yīng)用，所述柔性電子鎧甲包括多個(gè)硬質(zhì)片體、柔性連接體及功能器件，多個(gè)所述硬質(zhì)片體通過(guò)所述柔性連接體連接成一個(gè)整體，使得所述柔性電子鎧甲具有鎧甲的保護(hù)功能；所述硬質(zhì)片體或/及所述柔性連接體上形成有功能電路；所述硬質(zhì)片體或/及所述柔性連接體上設(shè)置有功能器件，所述功能器件與對(duì)應(yīng)的功能電路電性連接。所述柔性電子鎧甲結(jié)合了電子皮膚柔性易變形、易共形的特性和生物鎧甲的保護(hù)功能，且能夠集成感知、發(fā)光、處理、控制等電學(xué)功能，對(duì)于軟體機(jī)器人在極端環(huán)境中的應(yīng)用具有十分重要的意義。

熱激活延遲熒光高分子化合物及其制備方法和應(yīng)用 856     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種以非對(duì)稱(chēng)熱活化延遲熒光小分子為發(fā)光單體運(yùn)用Suzuki聚合法制備的熱激活延遲熒光高分子化合物。本發(fā)明以側(cè)鏈連接TADF小分子的策略，以聚螺芴、芴、咔唑、苯或者三苯胺等為主鏈，在保證主鏈高的三線態(tài)能級(jí)的同時(shí)，也能保證主鏈具有良好的空穴傳輸性能，制得的TADF高分子能夠很好地傳承小分子的TADF特性，有些高分子的光致發(fā)光量子產(chǎn)率和反向系間竄越常數(shù)甚至比小分子還高，本發(fā)明合成的高分子化合物具有非常高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱分解溫度，同時(shí)擁有非常良好的成膜性。在應(yīng)用于電致發(fā)光器件時(shí)，摻入主體和輔助TADF小分子，能夠獲得目前延遲熒光高分子最高的電流效率（38.6?cd/A）、功率效率（14.3?lm/W）和外量子效率（16.1%）。

增材制造過(guò)程中并行控制零件變形和精度的方法 1054     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種增材制造過(guò)程中并行控制零件變形和精度的方法，屬于增材制造領(lǐng)域。在增材制造零件的過(guò)程中，同工位并行實(shí)施如下工序：增材成形工序、等材塑形或塑性成形工序，同時(shí)，還同工位并行實(shí)施如下工序的一種或者多種：等材矯形工序、減材加工工序和精整加工工序，從而實(shí)現(xiàn)一步到位式超短流程的高精度高性能增材制造。同工位并行實(shí)施是指待加工零件裝夾位置不變，同時(shí)在不同加工層或者相同加工層的相同道次或者不同道次中，實(shí)施不同的工序。本發(fā)明方法實(shí)現(xiàn)一步到位式超短流程的高精度高性能增材制造，并且其加工精度高，零件可直接應(yīng)用。本發(fā)明方法具有較強(qiáng)的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

煙用降溫管及其制備方法和具有該降溫管的煙支 926     

 0

本發(fā)明公開(kāi)一種煙用降溫管及其制備方法和具有該降溫管的煙支。所述煙用降溫管呈中空管狀；所述煙用降溫管由外到內(nèi)依次包括殼體、防潮層、功能載體和降溫層；所述降溫層負(fù)載在所述功能載體的第一側(cè)；所述防潮層負(fù)載在所述功能載體的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；所述功能載體通過(guò)所述防潮層與所述殼體的內(nèi)壁連接；所述防潮層用于防止外界水分進(jìn)入所述煙用降溫管的內(nèi)部與所述降溫層接觸；所述降溫層用于降低煙氣溫度。本發(fā)明能夠提高降溫效果，并且能夠防止降溫材料因自身的吸潮特性帶來(lái)的煙支外觀和品質(zhì)的損壞。

基于憶阻突觸的智能尋址系統(tǒng) 900     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻突觸的智能尋址系統(tǒng)，包括輸入層神經(jīng)元、憶阻突觸、隱藏層神經(jīng)元、連接電阻和輸出層神經(jīng)元，憶阻突觸用于根據(jù)該憶阻突觸中憶阻器的阻值將輸入層神經(jīng)元的脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)后傳遞給隱藏層神經(jīng)元；該基于憶阻突觸的智能尋址系統(tǒng)，在智能尋址的訓(xùn)練過(guò)程中，其中的憶阻突觸能夠根據(jù)輸入層神經(jīng)元與隱藏層神經(jīng)元的激發(fā)時(shí)間的時(shí)間差，以及根據(jù)外部環(huán)境提供的反饋信號(hào)來(lái)更新該憶阻突觸中憶阻器的阻值，從而使結(jié)束訓(xùn)練后憶阻器阻值固定的智能尋址系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)智能尋址功能。本發(fā)明通過(guò)對(duì)該系統(tǒng)的細(xì)節(jié)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，利用憶阻器參與構(gòu)建智能尋址網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，訓(xùn)練好的憶阻器阻值固定的智能尋址網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，就能夠?qū)崿F(xiàn)智能尋址功能。

具有面加熱功能的尿素管及其制備方法 685     

 0

本發(fā)明涉及汽車(chē)尿素管領(lǐng)域，尤其涉及一種具有面加熱功能的尿素管及其制備方法。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的具有面加熱功能的尿素管，包括傳輸管和同心卷繞在傳輸管上的電熱膜，所述電熱膜包括耐熱沖擊基膜、導(dǎo)電薄膜、電極和絕緣薄膜，所述導(dǎo)電薄膜為導(dǎo)電漿料涂覆在耐熱沖擊基膜上而形成，所述電極粘附在導(dǎo)電薄膜的兩端寬邊上，所述絕緣薄膜覆蓋在導(dǎo)電薄膜和電極上。本發(fā)明通過(guò)控制電熱膜卷繞的層數(shù)或者控制電熱膜中導(dǎo)電薄膜厚度，滿(mǎn)足不同加熱功率的需求，其通用性更強(qiáng)，能夠達(dá)到批量生產(chǎn)和設(shè)計(jì)靈活性高的需求。

基于憶阻器實(shí)現(xiàn)多層識(shí)別的電路及其控制方法 925     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器實(shí)現(xiàn)多層識(shí)別的電路及其控制方法，來(lái)模擬生物大腦的多狀態(tài)(認(rèn)知、熟悉、陌生)認(rèn)知能力。通過(guò)分別調(diào)節(jié)第二輸入端與第一輸入端信號(hào)脈沖的匹配數(shù)目和第二輸入端信號(hào)脈沖幅值來(lái)實(shí)現(xiàn)多層次脈沖識(shí)別。第一輸入端輸入信號(hào)代表已存儲(chǔ)在生物大腦中的樣本信號(hào)，第二輸入端輸入信號(hào)代表生物大腦接收到外界環(huán)境的刺激信號(hào)，這種識(shí)別方法的原理是通過(guò)控制大腦存儲(chǔ)的樣本信號(hào)和外界環(huán)境的刺激信號(hào)相互匹配，來(lái)調(diào)控大腦對(duì)于外界刺激的識(shí)別狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)多層次識(shí)別技術(shù)。

鋰電池隔離膜的涂布系統(tǒng)及涂布方法 666     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種鋰電池隔離膜的涂布系統(tǒng)及涂布方法，該方法包括：配置涂布所需的紡絲原液，并將紡絲原液置于供液料槽中；將隔離膜放置于靜電紡絲裝置中；采用靜電紡絲的方法對(duì)隔離膜的表面進(jìn)行連續(xù)噴絲涂布，以得到厚度可控的纖維絲涂層作為隔離膜的功能涂層。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能以簡(jiǎn)單的工藝方法在隔離膜表面制備出有均勻孔隙的功能涂層。

熱濕舒適性雙股紗及其制備方法 865     

 0

本發(fā)明提供了一種熱濕舒適性雙股紗及其制備方法。首先，采用熔融共紡工藝，制備出熱濕舒適性雙組份纖維和具備預(yù)定功能的第一功能雙組份纖維，然后將所述熱濕舒適性雙組份纖維和第一功能雙組分纖維通過(guò)賽絡(luò)紡工藝加捻得到熱濕舒適性復(fù)合單紗；最后將所述熱濕舒適性功能復(fù)合單紗或者將所述熱濕舒適性功能復(fù)合單紗和第二功能性復(fù)合單紗進(jìn)行合股并線處理，制備得到熱濕舒適性功能雙股紗。本發(fā)明制備的熱濕舒適性功能雙股紗具備優(yōu)異的力學(xué)性能和熱濕舒適性能，還能夠?qū)崿F(xiàn)不同功能性需求。

基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路 813     

 0

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路，包括憶阻器、第一電阻、第二電阻和運(yùn)算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯(lián)在運(yùn)算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第二輸入端；第二電阻的一端連接至運(yùn)算比較器的第一輸入端，第二電阻的另一端接地；運(yùn)算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運(yùn)算比較器的輸出端作為聯(lián)想記憶電路的輸出端；聯(lián)想記憶電路的第一輸入端和第二輸入端分別用于接收條件刺激信號(hào)和非條件刺激信號(hào)，聯(lián)想記憶電路的輸出端用于輸出反應(yīng)信號(hào)。本發(fā)明可以根據(jù)施加條件刺激和非條件刺激信號(hào)的時(shí)間關(guān)系，模擬生物聯(lián)想記憶的形成過(guò)程和遺忘過(guò)程。