本發(fā)明公開了一種全無機(jī)量子點(diǎn)基阻變存儲器及制備方法,涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括自下而上依次設(shè)置的基板、底電極、阻變層和頂電極,其中,所述底電極與阻變層之間還設(shè)置有緩沖層。本發(fā)明通過增加鐵電材料緩沖層,使阻變存儲器的工作電壓降低至0.3V以下,存儲窗口提高到10
7量級以上;器件在持續(xù)工作1.4×10
6s后阻變性能退化小于0.01%,并且在10
4次快速讀取測試中顯示出良好的耐久性。所述設(shè)計(jì)大大提升了量子點(diǎn)阻變存儲器的阻變性能,加速了量子點(diǎn)基阻變存儲器的商業(yè)化進(jìn)程。
聲明:
“全無機(jī)量子點(diǎn)基阻變存儲器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)