本發(fā)明公開(kāi)了一種基于Si IGBT/SiC MOS混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器及其故障運(yùn)行控制方法,該變換器為半橋結(jié)構(gòu),上橋臂和下橋臂均由(n+r)個(gè)混合并聯(lián)器件串聯(lián)組成,其中n個(gè)器件維持正常運(yùn)行,r個(gè)器件用作冗余,每個(gè)混合并聯(lián)器件由a個(gè)SiC MOS和b個(gè)IGBT并聯(lián)組成,每個(gè)IGBT/SiC MOS包含一個(gè)驅(qū)動(dòng)器,變換器包含一個(gè)總的中央控制器,負(fù)責(zé)器件的驅(qū)動(dòng)序列、狀態(tài)監(jiān)測(cè)和控制策略調(diào)整。若變換器中某一功率器件失效,故障運(yùn)行控制策略能夠在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)判斷失效的位置、上傳變換器的運(yùn)行狀況,并采用控制策略維持正常運(yùn)行。本發(fā)明提出的變換器兼顧高壓大功率和高頻高功率密度的優(yōu)勢(shì),提出的故障控制策略可保證變換器在器件故障情況下繼續(xù)正常運(yùn)行,提升了系統(tǒng)的容錯(cuò)性。
聲明:
“基于Si IGBT/SiC MOS混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器及其故障運(yùn)行控制方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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