本發(fā)明提供的一種光刻方法,包括:提供測(cè)試晶圓;使用設(shè)計(jì)掩模版對(duì)所述測(cè)試晶圓進(jìn)行光刻工藝,在測(cè)試晶圓表面形成光刻膠圖形;檢測(cè)所述光刻膠圖形,查找發(fā)生圖形坍塌的區(qū)域;根據(jù)所述光刻膠圖形的坍塌區(qū)域,制作修正掩模版,所述修正掩模版具有開(kāi)口,所述開(kāi)口與所述圖形坍塌區(qū)域相對(duì)應(yīng);提供產(chǎn)品晶圓;分別使用所述修正掩模版以及設(shè)計(jì)掩模版對(duì)產(chǎn)品晶圓進(jìn)行曝光,在產(chǎn)品晶圓表面形成光刻膠圖形。本發(fā)明通過(guò)對(duì)已發(fā)生圖形坍塌的光刻膠區(qū)域進(jìn)行二次曝光,使得該區(qū)域光刻膠的圖形失效,從而避免了光刻膠缺陷的擴(kuò)散。
聲明:
“光刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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