本發(fā)明提供一種重摻硅片氧碳含量的測試方法,包括:使用二次質譜儀檢測一級標樣的離子強度,計算出RSF值,利用RSF值計算出二級標樣的碳氧元素濃度,與已知二級標樣的碳氧元素濃度對比,在標準范圍內則利用此RSF值計算待測樣片的碳氧元素濃度。本發(fā)明的有益效果是有效的解決重摻硅片表面氧沉淀會造成漏電,使器件失效、高密度的氧沉淀又會形成缺陷,對產(chǎn)品帶來一定的影響,而碳易與氧和缺陷構成復合體,誘生產(chǎn)品缺陷;利用現(xiàn)有檢測法測試出來的碳氧元素濃度存在不確定性,不能確定RSF值是否準確的問題。
聲明:
“重摻硅片氧碳含量的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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