一種測量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化失效的
芯片及測量方法,屬于半導(dǎo)體器件失效評估領(lǐng)域,它由在襯底上與前者結(jié)成一體的由
半導(dǎo)體材料構(gòu)成的平臺,固接在平臺表面的一排電極,在平臺表面平行于電極固接有一排與電極一一對應(yīng)的輔助電極構(gòu)成,相鄰電極之間的距離互不相等,測量方法包括在電極和輔助電極間加考核電流一段時間,斷開考核電流,測量相鄰電極之間的總電阻及間距,用傳輸線法作圖并計算歐姆接觸的電阻率。使用本發(fā)明的芯片和測量方法,能避免考核電流對半導(dǎo)體材料的損傷,準(zhǔn)確評估歐姆接觸退化程度的方法。
聲明:
“測量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化失效的芯片及測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)