本發(fā)明提出一種制備半導(dǎo)體失效分析樣品的方法,首先對所述測試
芯片進行切割形成初始樣品并在所述初始樣品的一角暴露出所述測試區(qū)的切割面,其次再對所述初始樣品暴露出所述測試區(qū)切割面的一角進行切割,使切割面與所述測試區(qū)的排列方向垂直,從而可以準確的測量出所述測試區(qū)的特征尺寸。
聲明:
“制備半導(dǎo)體失效分析樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)