本發(fā)明涉及一種碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測(cè)量方法。本發(fā)明屬于光譜分析技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測(cè)量方法，工藝步驟：(1)利用熱解外延法在碳化硅的硅面生長(zhǎng)出具有厚度層數(shù)的石墨烯樣品；(2)利用X射線光電子能譜對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)量；(3)利用掃描到的XPS能譜，計(jì)算284.5eV處C-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強(qiáng)度，以及282.9eV處Si-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強(qiáng)度；(4)將衍射光子積分強(qiáng)度帶入到衍射光子積分強(qiáng)度與石墨烯厚度的函數(shù)關(guān)系式中，求出樣品的石墨烯厚度；(5)將石墨烯厚度與石墨烯的原子層間距作比，得到樣品石墨烯的層數(shù)。本發(fā)明具有快速、準(zhǔn)確測(cè)量，無(wú)需將石墨烯從基底上剝離，無(wú)損測(cè)量，方便器件加工和性能測(cè)試等優(yōu)點(diǎn)。