低漂移化學(xué)傳感器陣列的方法和裝置。一種片上的低基線漂移的SAW/LAW化學(xué)傳感器陣列及其形成方法。雙SAW延遲線包括:用來(lái)產(chǎn)生聲波的公共IDT,以及用來(lái)接收聲波的一對(duì)IDT。一個(gè)感測(cè)層或者一個(gè)參考層可以沉積在公共IDT的每一側(cè)上的位置中。一ASIC
芯片包括片上的雙操作放大器和混合器,以利用由感測(cè)層和參考層給出的差獲得差別測(cè)量??衫萌S3D技術(shù)來(lái)將傳感器陣列和ASIC連接在相同的封裝中并由此形成3D堆棧。化學(xué)傳感器陣列和ASIC可以配置在不同的封裝中,并利用2D技術(shù)互連在相同的襯底上。多種氣體可以被獨(dú)立地探測(cè),每種氣體可關(guān)于與其相關(guān)聯(lián)的感測(cè)層和特定參考層而被有差別地探測(cè)。
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