本實用新型涉及一種紫外LED
芯片,包括依次設置的P型氮化鎵層、量子井層、N型氮化鎵層、透明襯底層以及透明過渡層;所述透明過渡層的數(shù)量為至少兩層,所有透明過渡層的折射率均在1?1.76之間,且所述透明過渡層的折射率往遠離所述透明襯底層的折射率逐漸減小;其中,所述透明過渡層為二氧化硅、氟化鋇、氟化鈣、氟化鎂或氟化鋰中的一種。本實用新型提供的紫外LED芯片,通過所述透明過渡層的設置,減小了所述透明襯底層與空氣之間的折射率階梯,使得折射率緩慢過渡,減小全反射,提高出光效率。
聲明:
“紫外LED芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)