一種光電
芯片及其混合集成方法,所述的光電芯片包括由下至上依次設(shè)置的硅襯底,射頻芯片,二氧化硅層,BCB層,硅鍺層,鈮酸鋰波導(dǎo)層及金屬電極層,金屬通孔走線貫穿于自射頻芯片到金屬電極。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了光電芯片的一體化,減少了鏈路損耗和串?dāng)_電平,將信號劣化到最?。煌瑫r(shí)利用二氧化硅與LN的頻率溫度系數(shù)相反的特性,有效的實(shí)現(xiàn)了溫度補(bǔ)償效應(yīng),提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。該系統(tǒng)的電極結(jié)構(gòu)采用DC直電極與射頻叉指電極配合的結(jié)構(gòu),有效的降低了射頻反射損耗。此外,該芯片架構(gòu)可采用成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn),這對于光電系統(tǒng)走向小體積、低功耗、實(shí)用化具有重要意義。
聲明:
“光電芯片及其混合集成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)