本發(fā)明涉及
電化學領域,尤其是一種電化學氧化法制備單層多孔羥基氧化鈷納米片的方法。將經分散劑分散的鈷鹽于水熱釜中150?220℃下反應3~24h,反應后降至室溫,將懸濁液離心獲得沉淀,沉淀經有機溶劑反復洗滌,所得沉淀干燥再將其于堿性溶液的電解液中,恒電流密度下電催化氧化即可得到單層多孔羥基氧化鈷納米片。本發(fā)明具有反應條件溫和、工藝流程簡單、能耗低、可規(guī)?;a等優(yōu)點,所得產品具有孔徑分布窄、孔隙率高、比表面積大、批次間重復性好等優(yōu)勢,有望在鋰離子電池、超級電容器以及電催化等領域得到廣泛應用。
聲明:
“電化學氧化法制備單層多孔羥基氧化鈷納米片的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)