本發(fā)明是利用離子注入制備光學(xué)晶體的脊形光波導(dǎo)的方法,該方法離子注入、光刻膠掩膜制備和Ar離子束刻蝕。采用能量為2.0-5.0MeV的離子注入到光學(xué)晶體的表面,在形成的平面光波導(dǎo)上制備掩膜,用Ar離子束進(jìn)行刻蝕,能夠在光學(xué)晶體表面形成脊形光波導(dǎo);用氧離子和硅離子等注入鈮酸鋰和偏硼酸鋇等非線(xiàn)性光學(xué)晶體能夠形成增加型的脊形光波導(dǎo);用氦離子或者氫離子注入多數(shù)光學(xué)晶體能夠形成位壘型脊形光波導(dǎo)。所形成的脊形光波導(dǎo)可以保持較好的非線(xiàn)性光學(xué)特性。脊形光波導(dǎo)的厚度、脊背的寬度、深度以及導(dǎo)波模式可以由工藝參數(shù)控制。采用本發(fā)明可以制作光開(kāi)關(guān)、光調(diào)制器等光電子器件。
聲明:
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