一種生產1T?過渡金屬二硫化物少層納米片和/或者單層納米片的方法,所述方法包括:鋰離子向包含塊體2H?過渡金屬二硫化物的負極中的
電化學嵌入以提供嵌入電極;和剝離步驟,所述剝離步驟包括將嵌入電極與質子溶劑接觸以生產1T?過渡金屬二硫化物少層納米片和/或單層納米片。一種電化學電容器,其包括復合電極,所述復合電極包含1T?MoS
2納米片和
石墨烯,以及一種生產用于電化學電容器中的復合電極的方法。
聲明:
“1T-相過渡金屬二硫化物納米片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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