本發(fā)明屬于
納米材料制造領(lǐng)域,特別涉及一種原位常溫制備垂直陣列結(jié)構(gòu)二硫化錫的方法。包括以下步驟:將普通層狀二硫化錫經(jīng)過超聲分散至半碳膜上,并在透射電鏡中用剮蹭鋰金屬的鎢針尖去觸碰二硫化錫并施加電壓;會聚電子束對樣品進行輻照得到垂直陣列結(jié)構(gòu)的二硫化錫。該方法無需使用高溫,無需其他有毒有害化學試劑,既簡化了工藝又降低了生產(chǎn)成本。
聲明:
“原位常溫制備垂直陣列結(jié)構(gòu)二硫化錫的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)