本發(fā)明涉及一種基于電磁場(chǎng)強(qiáng)化的等離子體化學(xué)氣相沉積的
石墨烯納米墻及其制備方法,所述石墨烯納米墻包括襯底、石墨烯墻陣列及多個(gè)石墨烯分叉,所述石墨烯墻陣列垂直長(zhǎng)在所述襯底上,多個(gè)所述石墨烯分叉長(zhǎng)在所述石墨烯片一側(cè)或兩側(cè)。本發(fā)明的方法石墨烯墻生長(zhǎng)速度和傳統(tǒng)技術(shù)相比有數(shù)倍提高,不存在石墨烯層之間的團(tuán)聚和堆疊,有利于后續(xù)制備超級(jí)電容器,鋰離子電容器時(shí)納米顆粒的吸附,進(jìn)而有利于提高納米顆粒在石墨烯片中的分散,同時(shí)以高表面積的石墨烯墻和石墨烯分叉作為介質(zhì)和模版進(jìn)行納米顆粒的生長(zhǎng),可以有效避免了納米顆粒在熱處理以及后續(xù)使用過(guò)程中的團(tuán)聚且可以極大的提高用該發(fā)明的石墨烯納米墻制備得到的超級(jí)電容器的比電容和導(dǎo)電率。
聲明:
“基于電磁場(chǎng)強(qiáng)化的等離子體化學(xué)氣相沉積的石墨烯納米墻制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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