本發(fā)明提供了一種磷酸三鎵晶體的助熔劑生長法。該方法是將磷酸二氫銨、氧化鎵、
碳酸鋰、氧化鉬按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)重量比稱量,混和均勻后放入鉑金坩堝,在生長爐中加熱熔融,再冷卻至熔液飽和點(diǎn)溫度之上10~20℃,得到Ga3PO7與助熔劑的混和熔體;將籽晶引入生長爐,在溫度降至飽和點(diǎn)以上1~2℃時(shí),下入籽晶,同時(shí)以30轉(zhuǎn)/每分鐘的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn),待籽晶開始熔化后,降溫生長,生長結(jié)束后,從熔液中提出晶體,以20~30℃/小時(shí)的降溫速率降至200℃后,自然冷卻至室溫即得厘米級尺寸的Ga3PO7晶體。本發(fā)明設(shè)備簡單、生長速度快、容易操作,可以獲得大尺寸的光學(xué)質(zhì)量好的Ga3PO7單晶。
聲明:
“磷酸三鎵晶體的助熔劑生長法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)