本發(fā)明涉及SnO2@PPy納米薄膜結(jié)構(gòu)材料及其制備方法,其為生長(zhǎng)在泡沫鎳上的SnO2納米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆,所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度為0.8~1.5μm,其采用下述方法制得,包括有以下步驟:1)將吡咯單體分散在高氯酸鋰乙腈溶液中,混合攪拌30min;2)以已經(jīng)生長(zhǎng)SnO2納米棒陣列的泡沫鎳為工作電極,以Ag/AgCl為參比電極,以鉑電極為對(duì)電極進(jìn)行電沉積2000s,電流密度1.6mA/cm2,洗滌即得。本發(fā)明的有益效果是:采用
電化學(xué)沉積的方法將PPy生長(zhǎng)在SnO2納米棒的表面,這樣可以起到緩沖層的作用,不僅提高了材料電導(dǎo)率,改善了電極材料的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“SnO2@PPy納米薄膜結(jié)構(gòu)材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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