本發(fā)明公開了一種內(nèi)延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法,可以解決現(xiàn)有技術(shù)中TaON無法制備為取向結(jié)構(gòu),以及無法獲得自支撐薄膜的技術(shù)問題,而這些問題抑制了TaON的利用。其技術(shù)方案為:將鉭酸鋰單晶晶片在四氯化碳和氨氣的混合氣氛下進行煅燒后,即可獲得內(nèi)延生長[100]取向TaON自支撐薄膜。本發(fā)明的制備方法和實驗步驟簡單,一步制備[100]取向的TaON自支撐薄膜,可大量制備,本發(fā)明制備的薄膜除了具有高的晶體取向結(jié)構(gòu)外,還具有有序的納米棒狀結(jié)構(gòu)。
聲明:
“內(nèi)延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)