本發(fā)明涉及一種碳布負載的NiS?MoS
2異質(zhì)納米片陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法,屬于
納米材料制備技術領域。本發(fā)明提出的
復合材料是在導電的三維
碳纖維布載體表面均勻生長著的具有多級三維框架式結(jié)構(gòu)的、成陣列狀的NiS?MoS
2異質(zhì)納米片結(jié)構(gòu),其中MoS
2包覆在NiS的表面。本發(fā)明在反應釜中,分別以醋酸鎳、鉬酸銨和硫脲作為鎳源、鉬源和硫源,十二烷基硫酸鈉為表面活性劑,通過一步水熱法,直接在碳布上生長得到NiS?MoS
2異質(zhì)納米片陣列結(jié)構(gòu)。該方法具有條件可控、設備工藝簡單、產(chǎn)量大、成本低及環(huán)境友好等優(yōu)點。所獲得的異質(zhì)納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)物純度高,形貌和組成可控。這種納米結(jié)構(gòu)材料在
電化學催化(制氫、制氧)、
儲能(超級電容器、鋰離子電池)等方面具有廣泛的應用前景。
聲明:
“碳布負載的硫化鎳-硫化鉬異質(zhì)納米片陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)