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部分氧空位B³⁺摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導體K₂O·4SiO₂及其制備方法

893 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 00:22:05

一種部分氧空位B³⁺摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導體K₂O·4SiO₂及其制備方法，其特征為：化學計量式為K₂O·4Si_1?xB_xO_2?0.5x，其中：x＝0.01?0.10；采用無規(guī)K₂O·4SiO₂結構，使得鉀離子在體系中各向同性傳導；通過B³⁺摻雜獲得部分氧空位，為鉀離子傳導提供新的傳導路徑，進一步降低了鉀離子傳導活化能，提升了鉀離子活動能力及電導率，使得該鉀快離子導體的常溫鋰離子電導率超過4·10^?4S/cm，使其能作為性能優(yōu)異的鉀快離子導體使用；同時通過高壓條件的反應，抑制反應物的不均勻揮發(fā)從而導致產(chǎn)物的組分偏離。

聲明：

“部分氧空位B³⁺摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導體K₂O·4SiO₂及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)