本發(fā)明提供一種雙向?qū)ú蹡殴β蔒OS器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，在硅片表面形成柵極、源極和漏極，實(shí)現(xiàn)雙向?qū)p向耐壓的功率MOS器件，可用于鋰電池BMS防護(hù)等應(yīng)用環(huán)境下。相比于傳統(tǒng)BMS中采用雙管串聯(lián)的方式以及其他實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǖ慕Y(jié)構(gòu)，本發(fā)明提出的器件結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一，本發(fā)明提出的器件僅需要占據(jù)傳統(tǒng)方式一半甚至更小的面積，極大地提高了集成度；第二，本發(fā)明所提出的器件結(jié)構(gòu)制造工藝簡(jiǎn)單且制造成本也不高，降低了工藝制造上的問(wèn)題；第三，本發(fā)明所提出的器件結(jié)構(gòu)漏極和源極可以對(duì)換，實(shí)現(xiàn)上真正意義上的對(duì)稱結(jié)構(gòu)和雙向?qū)p向耐壓；第四，本發(fā)明所提出的器件結(jié)構(gòu)由于漏極、源極和柵極均在硅片表面，因此易于集成，增加了應(yīng)用環(huán)境。