一種
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域的制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法,所用的錫源為氯化亞錫,硫源為硫代乙酰胺,螯合劑為三乙醇胺,采用原位溶劑熱法制備具有規(guī)則的納米片陣列薄膜。首先將亞錫鹽溶于三乙醇胺、丙酮以及檸檬酸鈉溶液中,再加入氨水調(diào)節(jié)PH,加入硫源后,最后混合溶劑體積比為1:1的水/乙二醇加入,得到SnS前體反應(yīng)液。反應(yīng)液并加入反應(yīng)釜,再插入玻璃片,進(jìn)行溶劑熱原位反應(yīng),即可得到具有規(guī)則的納米片陣列薄膜。本發(fā)明方法簡單,成本低,陣列均一,納米片厚度為4~8nm,長度約為150~210nm,這為硫化亞錫在
太陽能電池、光催化、鋰離子電池及超級(jí)電容器的應(yīng)用提供一種有效的方法。
聲明:
“制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)