本發(fā)明提出了電子傳輸層材料及其制備方法、QLED器件及其制備方法和顯示裝置。電子傳輸層材料,包括:摻雜有摻雜元素的金屬氧化物,其中,摻雜元素包括Li和F。通過在金屬氧化物中進(jìn)行鋰元素和氟元素的摻雜,有效降低了電子傳輸層的電子遷移速率,使得發(fā)光層中的電子和空穴數(shù)量更趨于平衡,從而有利于提高QLED器件的發(fā)光效率。
聲明:
“電子傳輸層材料、QLED器件及其制備方法和顯示裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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