本發(fā)明涉及ZnS納米晶半導(dǎo)體前驅(qū)體薄膜或半導(dǎo)體薄膜的
電化學(xué)制備方法,電解液含有摩爾比為(15-20):(15-25):(0.2-0.8):(0.3+0.1)的Zn2+,S2O32-,表面活性劑、SO32-,并含有氯化鋰,電解液的pH值介于2.5-4.5之間;然后利用恒電流法或恒電位法,實(shí)現(xiàn)Zn、S二元素的共析結(jié)晶,生成純凈的六方相或立方相結(jié)構(gòu)的ZnS前驅(qū)體薄膜。而后將所得前軀體薄膜在惰性氣氛保護(hù)條件下于250-500℃下恒溫一段時(shí)間,均得到純凈的高取向性的結(jié)晶性更好的立方相ZnS納米晶半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明所提供的方法可控性強(qiáng),重復(fù)性好,所制備的ZnS納米晶半導(dǎo)體薄膜無雜質(zhì),適用于薄膜
太陽能電池的窗口層材料。
聲明:
“ZnS納米晶半導(dǎo)體前驅(qū)薄膜或半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)