本發(fā)明公開了一種鍍膜方法及應(yīng)用,按以下步驟進(jìn)行:1)襯底以及其晶向的選取;2)使用PLD工藝在襯底上低溫外延一層GaN緩沖層;3)使用MBE工藝外延一層GaN薄膜。本發(fā)明集合PLD和MBE的優(yōu)點(diǎn),能夠有效抑制Li離子的高溫擴(kuò)散(襯底的高溫相變)和界面反應(yīng)。利用PLD進(jìn)行三維生長,獲得大量的納米島,然后在同一生長室內(nèi)利用MBE進(jìn)行二維生長,抑制穿透位錯的傳播,提高薄膜的晶體質(zhì)量。應(yīng)用鍍膜方法在鎵酸鋰襯底上外延非極性GaN薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有生長工藝簡單,制備成本低廉的優(yōu)點(diǎn),同時本發(fā)明制備的GaN薄膜具有缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于LED、LD、
太陽能電池等領(lǐng)域。
聲明:
“鍍膜方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)