一種非極性面InN材料的生長方法,利用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相外延MOCVD生長 系統(tǒng),在鋁酸鋰LiAlO2(100)襯底上合成生長m面InN材料以及高In組分m面InGaN 材料,所述m面是非極性面的一種,高In組分指InxGa1-xN材料中In組分x大于0.3。 本發(fā)明利用MOCVD生長系統(tǒng),采用LiAlO2(100)材料作為襯底、對(duì)LiAlO2(100)襯底 進(jìn)行處理以及利用低溫緩沖層,合成生長m面InN材料以及高In組分m面InGaN材料, 通過選擇合適的襯底,在MOCVD系統(tǒng)下,選擇適當(dāng)?shù)纳L的技術(shù)條件,并利用緩沖 層的設(shè)計(jì),生產(chǎn)得到非極性面InN材料。
聲明:
“非極性面INN材料的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)