公開的是一種處理基材的方法。該表面與包含鋰陽離子的密封組合物接觸;和任選地與包含鑭系元素、第IIIB族和/或第IVB族金屬的陽離子的轉(zhuǎn)化組合物接觸。施涂該轉(zhuǎn)化組合物來在基材表面上提供膜,這導致其上的鑭系元素、第IIIB族金屬和/或第IV族金屬的水平比其上不具有所述膜的基材表面大了至少100個數(shù),其是通過X射線熒光測量的(使用X?Met7500,Oxford?Instruments測量;對于鑭系元素、第IIIB族金屬和第IVB族金屬(除了鋯),運行參數(shù)60秒逐時分析,15Kv,45μA,濾波器3,T(p)=1.5μs;對于鋯,運行參數(shù)60秒逐時分析,40Kv,10μA,濾波器4,T(p)=1.5μs)。還公開了通過該方法可以獲得的基材。
聲明:
“密封組合物” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)