一種二維層狀GeP單晶納米薄膜的制備方法及應(yīng)用,制備步驟:(1)稱取Ge、P和Bi裝入石英管中并封管;(2)使Ge和P化合反應(yīng);(3)將石英管離心分離,得到GeP體塊單晶;(4)GeP體塊單晶置于稀鹽酸中并清洗干凈;(5)放入裝有無水乙醇的離心管中超聲處理,得到乙醇懸濁液;(6)離心處理;(7)取出上清液,用乙醇進行稀釋,得到GeP納米薄膜的稀溶液。制備的二維層狀GeP單晶納米薄膜用于飽和吸收體對激光進行被動調(diào)Q或鎖模調(diào)制及制作光子或光電子器件、催化及
鋰電池負極材料。本發(fā)明生長了大尺寸、高質(zhì)量GeP體塊單晶,制備的GeP納米薄膜為直接帶隙半導體,采用單純的GeP實現(xiàn)調(diào)Q和鎖模激光,在1?3μm紅外寬波段獲得了更高的脈沖峰值功率和脈沖能量。
聲明:
“二維層狀GeP單晶納米薄膜的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)