本發(fā)明公開了一種暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線的制備方法,該方法是采用簡單的水熱法,以乙醇胺與蒸餾水的混合液為溶劑,將Se粉和KBH4、處理好的銅片水熱反應(yīng)后在惰性氣體保護(hù)下煅燒,即可在銅片表面制備成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線,其直徑為0.23~2.14μm、長度17~420μm。本發(fā)明操作簡單,成本低,重復(fù)性和一致性好,所制備的暴露{111}晶面立方結(jié)構(gòu)Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線可望在光催化、
太陽能電池、超離子導(dǎo)體、鋰離子電池和超級電容器等應(yīng)用中體現(xiàn)增強(qiáng)的光電性能。
聲明:
“暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亞微米線的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)