本發(fā)明提供一種提高FIB刻蝕超淺光柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁垂直度的方法及系統(tǒng),涉及離子束加工技術(shù)領(lǐng)域,包括:步驟S1:在目標(biāo)材料上制備掩膜層;步驟S2:根據(jù)需要刻蝕的光柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化FIB刻蝕參數(shù);步驟S3:利用FIB刻蝕參數(shù)從掩膜層表面開(kāi)始刻蝕,刻蝕深度至目標(biāo)材料表面以下;步驟S4:去除掩膜層,在目標(biāo)材料表面形成高側(cè)壁垂直度的超淺光柵結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠在鈮酸鋰等非導(dǎo)電材料表面實(shí)現(xiàn)刻蝕深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、側(cè)壁垂直度80°以上的超淺光柵結(jié)構(gòu)。
聲明:
“提高FIB刻蝕超淺光柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁垂直度的方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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