[課題]本發(fā)明制造一種含有Li,且盡管表面上具有C涂覆膜,但在粒子內(nèi)和粒子間均具有均勻的Li濃度分布,并且抑制了SiC的生成的氧化硅類的
負極材料。[解決方法]通過對包含Si、Li和O且其中Si的一部分作為Si單質(zhì)而存在、Li作為硅酸鋰而存在的含有Si和硅酸鋰的原料進行減壓加熱,從而使SiO氣體與Li氣體同時產(chǎn)生。通過冷卻產(chǎn)生的氣體,從而制作一種平均組成為SiLi
xO
y(0.05<x<y和0.5<y<1.5)的含Li氧化硅。在粒度調(diào)整后以900℃以下的處理溫度,在粒子表面形成平均膜厚0.5~10nm的C涂覆膜。
聲明:
“氧化硅粉末的制造方法及負極材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)