本申請涉及一種負(fù)極極片、
電化學(xué)裝置及電子裝置。本申請的負(fù)極極片包括集流體、第一活性物質(zhì)層以及位于所述集流體和第一活性物質(zhì)層之間的第二活性物質(zhì)層,其中,所述第一活性物質(zhì)層包括第一硅基材料顆粒,所述第二活性物質(zhì)層包括第二硅基材料顆粒,所述第一硅基材料顆粒中鋰元素的質(zhì)量百分含量為A%,所述第二硅基材料顆粒中鋰元素的質(zhì)量百分含量為B%,其中A>B。本申請改善了負(fù)極極片中硅材料對集流體的膨脹,緩解極片膨脹應(yīng)力,避免由于集流體變形導(dǎo)致的界面問題,從而改善循環(huán)后極片脫膜、電極組件變形,改善循環(huán)膨脹,達(dá)到提升能量密度及循環(huán)性能、減小循環(huán)膨脹的效果。
聲明:
“負(fù)極極片及包含該負(fù)極極片的電化學(xué)裝置、電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)