本申請(qǐng)公開(kāi)一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法,包括準(zhǔn)備壓電晶圓和襯底基板,其中,所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓;利用離子注入?鍵合法或者鍵合?研磨拋光法,制備得到單晶壓電復(fù)合薄膜,其中,所述單晶壓電復(fù)合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標(biāo)厚度的薄膜層;對(duì)所述單晶壓電復(fù)合薄膜中薄膜層進(jìn)行等離子體刻蝕處理,其中,所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和/或惰性等離子體;對(duì)黑化后的薄膜層研磨拋光處理,得到黑化單晶壓電復(fù)合薄膜。通過(guò)等離子體刻蝕方法對(duì)薄膜層處理,使薄膜層內(nèi)氧空位濃度提升,從而實(shí)現(xiàn)修復(fù)薄膜層的黑化或者抑制薄膜層的白化。
聲明:
“基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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