本發(fā)明提供一種rGO膜/GaN納米線復(fù)合電極及其制備方法,其中制備方法包括:以沉積有鎳鹽催化劑的還原氧化
石墨烯膜為襯底,通過化學(xué)氣相沉積法生長GaN納米線,得到rGO膜/GaN納米線復(fù)合電極。依據(jù)上述制備方法,由于采用rGO膜導(dǎo)電襯底,進(jìn)一步增強(qiáng)了電解液的浸潤性和電子/鋰離子的傳輸特性,使得rGO膜/GaN納米線復(fù)合電極的倍率特性大幅度提高;采用化學(xué)氣相沉積法生長GaN納米線,充分發(fā)揮GaN納米線較大的比表面積,暴露出豐富的活性位點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)電解液的充分接觸以及充放電反應(yīng)中鋰離子和電子的快速轉(zhuǎn)移的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“rGO膜/GaN納米線復(fù)合電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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