本發(fā)明涉及極間厚緩沖層調(diào)制器
芯片結(jié)構(gòu),屬于鈮酸鋰電光調(diào)制技術(shù)領(lǐng)域。為了實現(xiàn)更低的調(diào)制器件功耗,需要得到較低調(diào)制半波電壓,本發(fā)明在調(diào)制器芯片行波電極間的緩沖層處進(jìn)行了加厚處理,能有效增大電光重疊積分,降低器件半波電壓。為鈮酸鋰強度調(diào)制器的功耗降低提供了有效方法。
聲明:
“極間厚緩沖層調(diào)制器芯片結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)